Transphorm, Inc. (NASDAQ:TGAN)成立于 2007 年，总部位于加利福尼亚州Goleta，全职雇员129人，Transphorm, Inc. 是一家半导体公司，在中国大陆、香港、台湾、美国、日本、韩国、印度和欧洲开发、制造和销售用于高压功率转换应用的氮化镓 (GaN) 半导体元件。
Transphorm, Inc. (TGAN)美股百科
Transphorm, Inc. 是一家半导体公司，专注于生产用于开关模式电源的氮化镓 (GaN) 晶体管。Transphorm公司的产品包括各种封装的GaN场效应晶体管。
Transphorm GaN 器件允许客户设计电源系统，为各种终端产品创造功能价值，包括智能手机电源适配器/快速充电器、数据中心服务器/通信电源、工业电源转换器、电动汽车充电器/转换器/逆变器以及其他应用 。
Transphorm公司通过区域经销商和销售代表提供产品。
Transphorm, Inc. (TGAN)历史百科
Transphorm 于 2007 年 2 月在特拉华州成立。 该公司总部位于加利福尼亚州戈利塔，靠近加州大学圣巴巴拉分校 (UCSB)，该公司是该大学的分支机构，联合创始人兼首席技术官 Umesh Mishra 是该校的教授。
2011年，Google Ventures向Transphorm投资了2000万美元。 这笔资金将用于协助该公司开发电力转换技术。 他们还从 Kleiner Perkins 等公司获得了 1800 万美元的资金。
2012年9月，Transphorm发布了TPH2006PS，这是业界首款通过JEDEC认证的600V HEMT。
2013年11月，Transphorm与富士通半导体（Fujitsu Semiconductor）合作，将其GaN功率器件整合到电源业务中，富士通半导体仅持有少数股权。
2015年，Transphorm获得了由全球投资公司KKR领投的7000万美元投资。
2020 年 2 月，Transphorm 完成收购 Peninsula Acquisition Corporation。
2021 年 8 月，Transphorm 从高压 GaN 制造商 GaNovation 手中收购了 AFSW 晶圆厂设施 100% 的权益。
2023年3月，Transphorm与Weltrend Semiconductor Inc.共同发布了首款氮化镓（GaN）系统级封装（SiP）。Weltrend SiP将由Transphorm在2023年应用电力电子会议（APEC）上展示。
2023 年 8 月，Transphorm 与安川电机（Yaskawa Electric）合作，开发了一项新的 GaN 功率晶体管专利技术，短路耐受时间 (SCWT) 为 5 微秒。
2024 年 1 月 11 日，先进半导体解决方案的主要供应商瑞萨电子公司和Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）宣布，双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨电子的一家子公司将以每股 5.10 美元的现金收购 Transphorm 所有流通股，较 Transphorm 于 2024 年 1 月 10 日的收盘价溢价约 35%， 较过去 12 个月的成交量加权平均价格溢价约 56%，较过去 6 个月的成交量加权平均价格溢价约 78%。此次交易对 Transphorm 的估值约为 3.39 亿美元。 该收购将为瑞萨公司提供内部GaN技术，这是下一代功率半导体的关键材料，将其业务拓展到电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业功率转换以及快速充电器/适配器等快速增长的市场。
Transphorm, Inc. (TGAN)美股投资
达成收购协议，即将被瑞萨电子公司收购。
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